CIESコンソーシアム
国家プロジェクトJST ACCELプロジェクト
縦型BC-MOSFET による三次元集積工学と応用展開
研究代表者
遠藤 哲郎
プログラム
マネージャー
政岡 徹
科学技術振興機構（JST）戦略的創造研究推進事業CREST研究課題「縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発」（研究代表者：遠藤哲郎）で開発された革新基盤技術を集積回路の新しい技術プラットフォームにまで発展させるため、JST戦略的創造研究推進事業ACCEL 研究開発課題「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開」（研究代表者：遠藤哲郎）を推進しています。本プロジェクトでは、飛躍的な高集積化と省エネ性を同時に実現する縦型BC-MOSFETを基盤技術として、ワーキングメモリ（DRAM やSTT-MRAM）を中心にロジックLSI、アナログLSI など様々な応用展開に繋がる共通基盤技術を開発しています。
本プロジェクトの目指す技術革新
