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2013.12.9受賞・成果: 本年12月9～11日に米国ワシントンD.C.で開催された2013 International Electron Device Meeting, IEDM（国際電子デバイス会議）において、国際集積エレクトロニクス研究開発センターの丹羽正昭教授がHigh-k/Metal Gate CMOSの実用化研究の功績により、IEEE Fellowを受賞しました。

東北大学
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